Name: Оперативная память (RAM) Mushkin Redline Lumina MLB4C266GHHF16GX2, DDR4, 32 GB, 2666 MHz
Brand: Mushkin
Price: 132.75 EUR
Availability: OutOfStock

Информация о товаре

Общие характеристики

Тип продукта

Оперативная память (RAM)

Бренд

Mushkin

Серия

Redline Lumina

Модель

MLB4C266GHHF16GX2

Комплектация

Комплект 2 модулей

Технические параметры

Тип оперативной памяти

DDR4

Объем памяти

32 GB

Отложенный цикл памяти

CL16

Тактовая частота оперативной памяти

2666 MHz

Теплораспределитель

Нет

С освещением

Да

Напряжение

1.2 В

Дополнительно

Право предъявления претензии для физических лиц

24 месяц

Право предъявления претензии для юридических лиц

12 месяц

Заметил ошибку в описании товара, в таблице характеристик или в галерее фотографий? Сообщи нам об этом

Цвет товара может отличаться от того, что видно на фотографии.

DIMM 32GB DDR4-2666 Kit, Memory

The Mushkin MLB4C266GHHF16GX2 is a kit of two 16GB DDR4-2666 memory modules from the Redline Lumina series. The total capacity is 32 GB. The 288-pin DIMMs equipped with heat sinks correspond to the PC4-21300 standard at a voltage of 1.2 volts and are suitable for a memory clock of up to 2666 MHz with latencies of 16-17-17-36. A feature of the Redline Lumina series is the individually adjustable RGB LED lighting. Version 2.0 of Intel's Memory Profile XMP is supported.

Type: SDRAM DDR4

Color white

EAN code: 0846651032171

Manufacturer part number: MLB4C266GHHF16GX2

Series: Redline Lumina

Capacity: 32GB (2 x 16GB)

Quantity: 2 pieces

Design: DIMM

Connector: 288 pin

Voltage: 1.2 volts

Standard: DDR4-2666 (PC4-21300)

Physical clock: 1333MHz

Timings: CAS Latency (CL) | 16

Timings: RAS-to-CAS Delay (tRCD) | 17

Timings: RAS Precharge Time (tRP) | 17

Timings: Row Active Time (tRAS) | 36

Features: XMP 2.0

More information: DDR4 is the further development of DDR3 and offers a number of innovations and advantages compared to its predecessor, such as up to 40% lower energy consumption, higher speeds, higher data density (enables memory modules with a capacity of up to 128 GB, in the future up to 512 GB) as well as improved operational stability through advanced error correction techniques such as CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) and "Per DRAM addressability".