Оперативная память (RAM) PNY Performance MD16GSD55600-SB, DDR5, 1 x 16 GB, 5600 MHz

PNY Performance MD16GSD55600-SB — это модуль оперативной памяти (RAM) единичного форм-фактора, разработанный для компьютерных систем. Он оснащен технологией DDR5, обеспечивающей объем памяти 16 ГБ и работающей на тактовой частоте 5600 МГц. Этот модуль является частью серии PNY Performance и интегрируется в совместимые материнские платы для расширения возможностей системной памяти.

Этот модуль оперативной памяти PNY Performance DDR5 предлагает емкость 16 ГБ в одном устройстве. Он работает на тактовой частоте 5600 МГц, обеспечивая скорость передачи данных, подходящую для различных вычислительных задач. Модуль имеет CAS-задержку (CL) 40, что способствует сокращению времени отклика памяти. Работая при напряжении 1,2 В, он совместим с современными спецификациями материнских плат, поддерживающих модули DDR5. Дизайн включает черную печатную плату (PCB) и не подсвеченные чипы памяти, как видно на изображении продукта, что обеспечивает обтекаемый вид без дополнительной подсветки. Поддержка технологий Intel X.M.P. (Extreme Memory Profile) и AMD EXPO позволяет оптимизировать конфигурацию производительности на совместимых платформах. Эта конфигурация с одним модулем подходит для систем, требующих обновления или новой сборки с определенным использованием слотов памяти. Его архитектура DDR5 представляет текущее поколение технологий памяти, обеспечивая пропускную способность и эффективность для совместимых систем.

Модуль оперативной памяти PNY Performance MD16GSD55600-SB предназначен для использования в настольных компьютерных системах, поддерживающих архитектуру памяти DDR5. Он подходит для пользователей, собирающих новые ПК или модернизирующих существующие системы, которым требуется модуль DDR5 объемом 16 ГБ. Пользователи могут установить этот модуль в свободный слот DDR5 DIMM на совместимой материнской плате для расширения или замены системной памяти. Спецификации модуля, включая тактовую частоту 5600 МГц и задержку CL40, подходят для общих вычислительных задач, повышения производительности и некоторых игровых приложений, где одного модуля 16 ГБ достаточно или он используется в паре с другим идентичным модулем для двухканальных конфигураций.

• Тип продукта: Оперативная память (RAM)
• Бренд: PNY
• Модель: MD16GSD55600-SB
• Тип ОЗУ: DDR5
• Емкость памяти: 1 x 16 ГБ
• Тактовая частота: 5600 МГц
• Задержка цикла памяти: CL40
• Напряжение: 1,2 В
• Серия: Performance
• Поддержка X.M.P.: Да
• Поддержка AMD EXPO: Да
• Подсветка: Нет