Name: Оперативная память (RAM) Team Group Team Elite TED516G5200C4201, DDR5, 16 GB, 5200 MHz
Brand: Team Group
Price: 46.9 EUR
Availability: OutOfStock

Информация о товаре

Общие характеристики

Тип продукта

Оперативная память (RAM)

Бренд

Team Group

Серия

Team Elite

Модель

TED516G5200C4201

Комплектация

Комплект 1 модуля

Технические параметры

Тип оперативной памяти

DDR5

Объем памяти

16 GB

Отложенный цикл памяти

CL42

Тактовая частота оперативной памяти

5200 MHz

Теплораспределитель

Нет

С освещением

Нет

Напряжение

1.1 В

X.M.P.

Нет

Код исправления ошибки (ECC)

Да

Дополнительно

Право предъявления претензии для физических лиц

24 месяц

Заметил ошибку в описании товара, в таблице характеристик или в галерее фотографий? Сообщи нам об этом

Цвет товара может отличаться от того, что видно на фотографии.

Повышенная базовая частота, более высокие скорости

Минимальные характеристики обеспечивают сверхвысокую частоту 4800 МГц, что на 50% больше, чем стандартная максимальная частота модулей DDR4, равная 3200 МГц. Пусть наша память DDR5 поможет вам с легкостью справляться со всеми скучными, повседневными задачами.

Раскрытая емкость, более эффективная многозадачность
Комплект DDR5 доступен с емкостью от 8 ГБ на модуль и в соответствии со стандартами JEDEC может быть увеличен до 128 ГБ, чтобы раскрыть потенциал вашей памяти и обеспечить плавную многозадачность.

Улучшенный структурный состав, повышенная эффективность

К факторам, важным для повышения производительности, относятся увеличенное количество банков и длина пакета. DDR5 допускает использование до 32 банков (блоков памяти, которые можно включать/отключать по отдельности), состоящих из 8 групп банков, что удваивает доступность доступа по сравнению с 16 банками, доступными в стандартах DDR4; длина пакета DDR5 (объем данных, к которым можно получить доступ с помощью одной команды чтения/записи DRAM) также вдвое больше, чем длина пакета DDR4.

Сниженное рабочее напряжение, повышенная энергоэффективность

Стандартное рабочее напряжение снижено с 1,2 В в модулях DDR4 до 1,1 В, что снижает энергопотребление для каждой полосы пропускания, чтобы экономить энергию и снизить нагрузку. Чтобы свести к минимуму шумовые помехи, управление питанием было перенесено с материнской платы в оперативную память и будет дополнено PMIC для эффективного управления нагрузкой системы.

Встроенная ECC, стабильная производительность

Модули памяти DDR5 поддерживают встроенную ECC — функцию самокоррекции ячеек DRAM, обеспечивающую стабильность систем DRAM, использующих DDR5.