GaN tehnoloģija
GaN ir gallija nitrīds, alternatīva silīcija pusvadītājiem. GaN tehnoloģija piedāvā izcilu augstfrekvences izturību salīdzinājumā ar silīciju un lielāku efektivitāti, novēršot pārkaršanu un ļaujot ierīcēm būt mazākām.
Ātrā uzlāde ir viena no populārākajām ātrākas uzlādes metodēm. Šī tehnoloģija tiek izmantota, lai pārvaldītu ierīcei piegādāto enerģiju, izmantojot USB. Šī tehnoloģija uzlādē viedtālruņu baterijas ātrāk nekā standarta USB ports. Tas tiek panākts, palielinot USB lādētāja izejas spriegumu, vienlaikus izmantojot metodes, kas novērš akumulatora bojājumus, ko rada nekontrolēta ātrā uzlāde. Izmantojiet šīs tehnoloģijas sniegtās ērtības.